Eprom 2716
La 2716 es una memoria EPROM de 16384 bits (2048×8). La 2716 es una extensión del 2704 y 2708. El “pin” 19 se utiliza para la línea A10 en lugar de Vdd de +12V en el 2704/2708. La 2716 requiere …
Etiqueta: Arquitectura de computadoras
Modos de una memoria Rom
Modo de lectura El dato de la localidad direccionada se presenta en las salidas O1-O8 en el modo de lectura. El tiempo de acceso es de 450 nseg. Después que la dirección se hace estable cuando CS=0, o de 120 …
Programación
De fábrica y después de borrar todos los bits de la 2716 contienen nivel “1”. La programación consiste en cargar ceros en los bits necesarios. Los pasos requeridos para la programación son: 1. Alimentar +25V a la entrada Vpp. 2. …
Inhibición de programación
Durante la programación múltiple de circuitos 2716 también se puede programar con diferentes datos. Con excepción de las entradas PD/PGM, todas las entradas iguales (O0-O7) incluyendo CS se amarran en paralelo. Aplicar nivel 1 a las entradas PD/PGM de los …
Verificación de programación
Se recomienda efectuar una verificación de los bits programados para determinar que fueron programados correctamente. En el proceso de verificación Vpp = 25V y CS=0. Al presentar una dirección, el contenido de la localidad se presenta en las líneas O0-O7. …
Direccionamiento no-absoluto en memorias rom
Las figuras siguientes ilustran el uso de decodificadores para seleccionar las memorias ROM de 1K conectando las salidas de los decodificadores con las entradas CS de las ROM. Las salidas del 8205 permiten seleccionar hasta ocho memorias de 1K (2708) …
Direccionamiento absoluto en memorias rom
En el direccionamiento «absoluto» se debe usar las 16 líneas de dirección. Generalmente las memorias de las microcomputadoras utilizan memorias RAM y ROM (PROM o EPROM), y las ROM tienen las direcciones más bajas, comenzando con 0. Esto debido a …
Ciclos de memoria
Para asegurar la operación correcta de una memoria existen restricciones de tiempo en la secuencia que deben seguir las direcciones, datos y señales de control. Estas restricciones están marcadas en las hojas de especificaciones del fabricante, como parte de las …
Lectura
Supón que un circuito de memoria es seleccionado con el nivel lógico apropiado en su entrada de selección (CS). El tiempo transcurrido desde la subsecuente aplicación de una dirección en sus entradas de dirección hasta la aparición, a la salida …
Escritura
El ciclo de escritura se entiende mejor con una memoria RAM estática o dinámica. Las memorias RAM estáticas tienen los requisitos de operación más sencillos. Además de las líneas de dirección, habilitación de chip (chip enable) y datos de salida …
