En la fabricación de circuitos integrados uno de los procesos es la difusión. Era una técnica muy empleada en los años 1970 para definir el tipo (N o P) de un semiconductor. Hoy en día también se usa aunque de forma diferente.
Consiste en la inserción de átomos dopantes dentro del semiconductor debido a la alta temperatura a que éste es sometido. Con ello se consigue un perfil en la concentración de dopantes que disminuye monótonamente
El proceso consiste en introducir las obleas de semiconductor en un horno y dejar pasar a través de ellas un gas, el cual contiene las impurezas. La temperatura del horno es de 800 a 1200ºC para el Si (Silicio) y de 600 a 1000ºC para el GaAs (Arseniuro de galio).
Las impurezas que se emplean para el Si son:
- P (Fósforo) y As (Arsénico) para crear semiconductores tipo N.
- B (Boro) para semiconductores tipo P.
Hay dos tipos de difusión:
- Por concentración constante en superficie: Se mantiene constante la concentración de impurezas en la superficie del semiconductor y desde ahí son difundidas al interior.
- Por concentración constante total: se deposita la cantidad final de impurezas en la superficie de la oblea y desde ahí se difunden.