Rom

Las memorias a las que se les puede realizar la función de leer los contenidos pero no la función de escribir se conocen como «memorias sólo para leer» o ROM (del inglés Read Only Memory). Los datos se almacenan durante la fabricación de la memoria y estas memorias son no volátiles.

Las memorias ROM se utilizan para almacenar en forma «permanente» datos y programas. Los programas muy importantes tales como el programa monitor y/o los programas de control se almacenan en memoria ROM. Al encender la microcomputadora generalmente se genera una señal de «RESET», la cual causa que el Contador del Programa (PC) tome la dirección cero, y a partir de esta dirección se inicie el proceso de la CPU. Tal es la razón de que algunas localidades de memoria comienzan con la dirección cero sean del tipo ROM, las cuales están cargadas con programas que le permiten al usuario tomar el control de la CPU.

Existen algunas variaciones de las memorias ROM que permiten más versatilidad a los microcomputadores, tales como el PROM (PROM Programable), EPROM (ROM Programable y Borrable) y EEROM (ROM Electrical Erase). Las memorias PROM son semiconductores que contienen pequeños fusibles que controlan el nivel lógico de los bits de las localidades, un fusible por bit. Un fusible completo genera un nivel 1 y un fusible quemado genera un nivel 0.

La memoria PROM se fabrica con todos los fusibles completos, toda la memoria tiene nivel 1. Para programar las memorias PROM, el usuario debe quemar (generalmente con pulsos de alto voltaje y alta corriente, 20 a 30 volts y 20 a 50 mA) uno por uno los fusibles de los bits que deben tener nivel 0. Desafortunadamente, los bits de los PROM se pueden programar sólo una vez. Los circuitos internos adicionales en las memorias PROM causa que estas memorias ocupen más espacio que las ROM, son menos densos, es decir, menos bits por cm3. La capacidad de almacenamiento de los PROM está cerca del 50% de los ROM. Las memorias PROM tienen la ventaja de que son programables y no se requiere la ayuda del fabricante.

Las memorias EPROM son más populares que las ROM y PROM. Las EPROM en lugar de fusibles almacenan cargas en las celdas cuando se les aplica pulsos de alto voltaje. Estas cargas permanecen atrapadas, representando un nivel 0, hasta que no se le aplica una energía externa, tal como las luz ultravioleta. Al eliminarse la carga, la celda representa un nivel 1. Las EPROM tienen una pequeña ventana transparente por lo que se puede iluminar directamente el circuito integrado interno con la luz ultravioleta. Los diferentes EPROM requieren de diferentes intensidades de luz ultravioleta.

En las especificaciones del fabricante se indican las características para programar y borrar las memorias EPROM. Una buena costumbre es la de tapar las ventanas para prevenir las exposiciones accidentales de luz ultravioleta que pudieran alterar el contenido de las celdas. Las memorias EPROM más populares se muestran en la Tabla siguiente

Los EEPROM son semejantes a los EPROM, pero en lugar de requerir luz ultravioleta para borrar el contenido de las localidades de memoria requieren de un voltaje aplicado en una de sus “pins”.

Los C.I. 2708 y 2704 son dos EPROM de 8192 bits (1024 x 8) y de 4096 bits (512 x 8) respectivamente. Los dos están fabricados con técnica MOS con canal N de silicio en integrados de 24 “pins”, ver 7.5a. Estos integrados tienen una ventana transparente por los que se accede directamente el circuito interno.

Fuente: Apuntes de Arquitectura de computadoras de la FCA de la UNAM