Escribir datos
Para escribir datos en las memorias RAM se debe cumplir lo siguiente:
1. Una dirección debe estar presente en el Bus de Dirección.
2. El integrado debe estar seleccionado.
3. Un dato de 8 bits se debe enviar por el Bus de Datos.
4. La señal de control de escritura/escribir debe tener el nivel adecuado R/W=0 (en el 2102) o WE=0 (en el 2114).
5. La transición bajo-alto de la señal de control de escritura/escribir carga en la localidad direccionada el dato presente en el Bus de Datos. Esto sucede cuando la memoria está fabricada con Flip-Flops. Si está fabricada con Latches con el nivel 0 es suficiente para cargar el dato.
Durante un ciclo de escritura en memoria, la 8085 envía una dirección en el estado T1 (se cumplen las condiciones 1 y 2) y un dato en el estado T2 (se cumple la condición 3). Durante este mismo ciclo; MEMR = 1 y MEMW = 0 de tal manera que conectando la señal MEMW a la entrada CE o CS se puede cumplir la cuarta condición.
Conectando la señal MEMW con las entradas CE o CS se pueden cumplir las condiciones de estas entradas tanto en el ciclo de lectura como en el ciclo de escritura en memoria.
Considerar que se conecta la señal MEMW a la entrada WE de los dos circuitos 2114 y que las líneas CS se activan cuando las líneas de dirección A15-A10 tienen el valor de 01100 y MEMR = 0 o MEMW = 0.
De tal manera, que las direcciones del módulo están en el rango de 0110 0000 0000 0000 (6000H) a 0110 0011 1111 1111 (63FFH). Al efectuar una lectura a la localidad 6000H se tendría lo siguiente:
Dirección
Byte Alto Byte Bajo MEMR MEMW I/OR I/ OW
01100000 10100000 0 1 1 1
Fuente: Apuntes de Arquitectura de computadoras de la FCA de la UNAM